普发半导体产品线：A4/UltiDry 多级罗茨干泵、COBRA 螺杆干泵、HiLobe 罗茨泵、HiPace/ATH 磁悬浮涡轮分子泵、ASM 氦质谱检漏仪、真空计、真空阀、残余气体分析仪 RGA、FOUP 晶圆盒污染监测系统Pfeiffer V...。覆盖晶圆前道制造、量检测、封装、设备整机配套，分为粗抽干泵（Sub‑fab 底层）、高真空分子泵（设备端腔体）、检漏与分析仪器三大类Pfeiffer V...。
一、晶圆前道核心工艺设备应用（8/12 英寸）
1、刻蚀设备 Etch（介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀、ALE 原子层刻蚀）
Load‑lock 负载锁腔（粗抽）：A4/UltiDry 干式罗茨泵组，晶圆大气转真空快速抽气，短周期，无油，防止碳氢污染晶圆Pfeiffer V...。
工艺反应腔高真空主抽：ATH‑M 磁悬浮涡轮分子泵，耐腐蚀涂层 XN，应对氟基、氯基强腐蚀等离子气体；振动极低，保障纳米级图形刻蚀精度；ALE 先进刻蚀工艺标配 ATH‑M 系列分子泵。
副产品：刻蚀产生粉尘、腐蚀性气体，干泵带加热防沉积物附着；分子泵耐等离子反向轰击。
2、薄膜沉积设备 PVD / CVD / ALD
PVD 磁控溅射（金属钛 / 铜 / 钽、阻挡层）工艺腔主抽：HiPace 磁悬浮分子泵；Load‑Lock：A4 干泵机组；需要高洁净、低振动，保证薄膜均匀度、颗粒缺陷最小化。
PECVD 等离子增强化学气相沉积（SiO₂、SiN 钝化层）反应腔前级：A4X 耐腐蚀干泵 / COBRA 螺杆干泵；处理硅烷、氨气等前驱体，泵体加热，防止粉末沉积泵腔。
LPCVD 低压化学气相沉积炉管炉管粗抽：COBRA 螺杆干泵 + HiLobe 罗茨增压泵；大腔体快速抽到中高真空。
ALD 原子层沉积（先进存储、逻辑芯片）ATH‑M 磁悬浮分子泵，快速抽除脉冲前驱体，维持动态超高真空；极低本底，保障原子层级薄膜生长质量。
3、离子注入机 Implanter
离子源腔体、束线管、终端处理腔：HiPace 大抽速磁悬浮分子泵；束线必须超高真空，避免离子被残余气体散射；
Load‑lock 与粗抽：A4 干泵；
重点：磁悬浮分子泵几乎无振动，任意角度安装，适配离子束光路稳定性要求。
4、光刻相关设备（含 EUV）
普通 DUV 光刻：晶圆传输 Load‑Lock，干泵抽气；CD‑SEM 量测机台内置 HiPace 分子泵。
EUV 极紫外光刻：光路必须超高真空，普发分子泵、真空计、残余气体分析仪 RGA 用于监测光路内部残余气体，防止 EUV 光子被气体分子吸收；EUV 腔体严禁任何油返流污染。
5、去胶 / 灰化（Ashing）
等离子灰化去除光刻胶；A4 耐腐蚀干泵，处理含碳、氧自由基，处理聚合物粉尘。
二、量检测设备（Fab 内测试分析机台）
CD‑SEM、FIB 聚焦离子束、表面 XPS 能谱机台机台腔体标配 HiPace 磁悬浮涡轮分子泵 + 小型干泵前级；振动必须极低，否则纳米图像解析失真；普发分子泵在半导体量测设备市场占有率很高。
残余气体分析仪 RGA（普发 Prisma）集成到刻蚀、CVD 腔体内部，实时分析腔体内残余气体成分；检测漏气、前驱体残留、预判腔体污染，用于工艺故障诊断。
真空计全系列：皮拉尼、热阴极、冷阴极真空计，各腔体真空压力监测，闭环控制泵组。
三、氦质谱检漏 ASM 系列
工艺腔体整机检漏：刻蚀机、PVD、离子注入腔体出厂前、产线 PM 维护后，氦检测微漏；漏率 10⁻⁹~10⁻¹¹ mbar・l/s，微小泄漏会直接造成晶圆报废。
真空管路、法兰、波纹管检漏；洁净室移动型 ASM‑HVM 检漏仪，无油涡旋前级，适合洁净车间使用。
封装环节检漏：芯片陶瓷封装、金属管壳气密性检测，防止水汽进入器件内部。
四、晶圆盒污染监测（普发 Fab‑Solution 方案）
APA 晶圆盒分析仪、AMPC 多点空气分子污染监测系统： 检测 FOUP 晶圆传送盒内部 AMC 气态分子污染物；提前发现污染源，降低晶圆雾状缺陷，提升良率，先进 12 英寸工厂大量部署。
五、后道封装测试设备应用
真空键合机（共晶键合、阳极键合）：HiPace 磁悬浮分子泵，高真空键合，防止界面氧化。
塑封脱泡、真空灌封：涡旋干泵、隔膜泵。
MEMS 芯片、射频器件封装检漏：ASM 氦检。
六、普发芯片制造主力产品对应工艺简表
表格
| 设备 / 工艺 | 核心普发产品 | 关键要求 |
|---|---|---|
| 刻蚀设备 Load‑lock | A4 / UltiDry 多级罗茨干泵 | 无油、耐腐蚀、抗粉尘，短循环抽气 |
| 刻蚀 / ALE 工艺腔主抽 | ATH‑M 磁悬浮分子泵 XN 涂层 | 耐氟氯腐蚀、低振动、超高真空 |
| PVD、ALD 腔体 | HiPace 磁悬浮分子泵 | 高洁净，薄膜均匀性 |
| LPCVD 炉管 | COBRA 螺杆干泵 + HiLobe 罗茨泵 | 大腔体大抽速 |
| 离子注入束线管 | HiPace 大抽速磁悬浮分子泵 | 无振动，保障离子束传输 |
| CD‑SEM/FIB 量测机台 | HiPace 系列分子泵 | 极低振动，保证成像精度 |
| 腔体气密性检测 | ASM 氦质谱检漏仪 | 高灵敏度，洁净室无油 |
| 腔体气体成分监控 | Prisma RGA 残余气体分析仪 | 实时检测微量杂质 |
| FOUP 晶圆盒污染监控 | APA、AMPC 系统 | 监测 AMC 气态污染物 |
七、芯片制造对普发产品关键工况要点
绝对无油：全部采用干式前级泵；分子泵优先磁悬浮轴承，不能用机械轴承，避免润滑油挥发污染晶圆，造成良率损失。
腐蚀工况：刻蚀、CVD 接触氟、氯气体，泵需要 XN 防腐涂层，泵体加热，防止反应副产物粉末沉积卡死泵。
振动控制：离子注入、PVD、CD‑SEM，振动会直接造成工艺失效；磁悬浮分子泵转子无接触，振动远低于机械轴承分子泵。
Sub‑fab 地下层部署：A4、COBRA 大干泵组集中布置在晶圆厂地下底层，通过管路连接洁净室上面的工艺设备，设备端只布置分子泵与阀门，减少洁净室噪声与热量。
八、和工业领域差异
芯片设备严禁返油污染；普通工业用 HiScroll 涡旋、DuoVane 旋片泵基本不用在前道工艺腔体，只用于检漏仪内部、封装后道。
